碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）

芯塔电子SiC MOSFET应用于新能源汽车、工业变频、充电桩、光伏逆变器、储能、UPS等领域。产品具有高击穿电压、高抗干扰能力、高可靠性、低反向漏电流、低米勒电容、低优值因子（QGD*RDS）以及高温下更低导通电阻等优势。TM2G0080120JA型号已通过权威第三方AEC-Q101车规级认证及HV-H3TRB加严可靠性考核。

型号	漏源电压（V）	导通电阻（mΩ）	漏极电流（A）	封装形式
TM2G0060065K	650	60	56	TO-247-4
TM2G0060065D	650	60	56	TO-247-3
TM2G0060065JA	650	60	54	TO-263-7
TM2G0060065M	650	60	51	DFN 8*8
TM2G0060065T	650	60	67	TOLL
TM2G0040120D	1200	40	75	TO-247-3
TM2G0040120K	1200	40	75	TO-247-4
TM2G0040120KA	1200	40	75	TO-247-4
TM2G0040120JA	1200	40	72	TO-263-7
TM2G0080120D	1200	80	42	TO-247-3
TM2G0080120K	1200	80	42	TO-247-4
TM2G0080120KA	1200	80	42	TO-247-4
TM2G0080120JA	1200	80	40	TO-263-7
TM2G0650170D	1700	650	9	TO-247-3
TM2G0650170F	1700	650	7	TO-220FP
TM2G0650170J	1700	650	8	TO-263-7
TM2G5000170B	1700	5000	1.6